铠侠与闪迪发布下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s NAND接口速度

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铠侠株式会社与闪迪公司联合发布一项尖端3D闪存技术，凭借4.8Gb/s NAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度，树立了行业新标准。
两家公司在2025年国际固态电路会议上展示了这项3D闪存创新技术，它与公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术相结合，采用最新的NAND闪存接口标准Toggle DDR6.0以及SCA（独立命令地址）协议（一种全新的接口命令地址输入方式），同时还整合了PI-LTT（电源隔离低抽头终端）技术（在进一步降低功耗方面发挥了关键作用）。
基于此独有的高速技术优势，两家公司的新一代3D闪存较目前量产的第八代产品（BiCS FLASH™ generation 8）实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8Gb/s。此外，该技术也显著提升了数据输入/输出的能效，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，成功实现了高性能与低功耗的最优平衡。两家公司预展第十代3D闪存（BiCS FLASH™ generation 10）技术时介绍，通过将存储层数增至332层并优化晶圆平面布局以提高平面密度，使位密度提升了59%。
铠侠首席技术官宫岛英史表示：“随着人工智能技术的普及，预计产生的数据量将显著增加，同时现代数据中心对能效提升的需求也在增长。铠侠深信，这项新技术将实现更大容量、更高速度和更低功耗的产品，包括用于未来存储解决方案的SSD产品，并为人工智能的发展奠定基础。”
闪迪公司全球战略与技术高级副总裁Alper Ilkbahar表示：“随着人工智能的进步，客户对存储器的需求日益多样化。我们通过CBA技术创新，致力于推出在容量、速度、性能和资本效率方面达到最佳组合的产品，以满足各细分市场客户的需求。”
铠侠和闪迪还分享了即将推出的第九代3D闪存（BiCS FLASH™ generation 9）计划。通过其独特的CBA技术，两家公司能够将新的CMOS技术与现有的存储单元技术相结合，从而提供资本效率高、性能优异且功耗低的产品。两家公司将继续致力于开发前沿闪存技术，提供定制化解决方案以满足客户需求，并为数字社会的发展做出贡献。