东芝推出符合AEC

[db:作者] · 发表于 2025-8-1 19:01

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新推出东芝首批面向车载应用的4通道高速标准数字隔离器产品线——“DCM34xx01系列”。新系列包含10款器件，具有100 kV/μs（典型值）[1]的高共模瞬态抑制（CMTI）和50 Mbps（最大值）[2]的高速数据传输速率，支持稳定运行。所有器件均符合面向车载电子组件安全性和可靠性的AEC-Q100标准。该系列10款产品于近日开始支持批量出货。
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为了确保混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）中使用的车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）的安全性和可靠性，需要能够确保隔离并防止噪声传播的器件。车载标准数字隔离器可为当前隔离设备所需的多通道高速通信和高CMTI提供解决方案。
新的隔离器采用东芝专有的磁耦合隔离传输方式，以实现100 kV/μs（典型值）的高CMTI。这不仅实现隔离信号传输中输入和输出间电气噪声的高容限，还确保了稳定的控制信号传输，有助于设备的稳定运行。此外，这些新产品还具有0.8 ns（典型值）[2]的低脉宽失真和50 Mbps（最大值）的数据传输速率，适用于多通道高速通信应用，例如具备SPI通信的I/O接口。
东芝的工业标准数字隔离器产品现已量产，目前其产品线扩展至车载设备领域。未来，东芝将增加这两个领域产品的封装类型和通道数量，并将继续提供高质量隔离器件和光耦，以支持车载设备所需的可靠性和实时数据传输。
■ 应用：
车载设备
- 电池管理系统（BMS）
- 车载充电器（OBC）
- 逆变器控制
■ 特性：
- 高共模瞬态抑制：CMTI＝100 kV/μs（典型值）[1]
- 高速数据速率：tbps＝50 Mbps（最大值）[2]
- 低脉宽失真：PWD＝0.8 ns（典型值）
- 四通道支持（请参见具体器件的主要规格）：
正向四通道，反向零通道；正向三通道，反向一通道；正向两通道，反向两通道
■ 主要规格：
（除非另有说明，Topr＝–40 °C至125 °C）
器件型号
DCM341L01
DCM341H01
DCM341A01
DCM341B01
通道数
（正向：反向）
4
（3:1）
默认输出逻辑
低
高
低
高
使能控制
输出使能
输入禁用
封装
SOIC16-W
绝对最大额定值
工作温度Topr（°C）
–40至125
存储温度Tstg（°C）
–65至150
隔离电压
BVS（Vrms）
t＝1分钟，Ta＝25 °C
最小值
5000
电气特性
共模瞬态抑制
CMTI（kV/μs）
VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，
VCM=1500 V
典型值
100
数据速率
tbps（Mbps）
VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V
最大值
50
脉宽失真
PWD（ns）
典型值
0.8
传输延迟时间
tPHL、tPLH（ns）
10.9
（除非另有说明，Topr＝–40 °C至125 °C）
器件型号
DCM340C01
DCM340D01
DCM340L01
DCM340H01
通道数
（正向：反向）
4
（4:0）
默认输出逻辑
低
高
低
高
使能控制
无
输出使能
封装
SOIC16-W
绝对最大额定值
工作温度Topr（°C）
–40至125
存储温度Tstg（°C）
–65至150
隔离电压
BVS（Vrms）
t＝1分钟，Ta＝25 °C
最小值
5000
电气特性
共模瞬态抑制
CMTI（kV/μs）
VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，VCM=1500 V
典型值
100
数据速率
tbps（Mbps）
VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5V
最大值
50
脉宽失真
PWD（ns）
典型值
0.8
传输延迟时间
tPHL、tPLH（ns）
（除非另有说明，Topr＝–40 °C至125 °C）
器件型号
DCM342L01
DCM342H01
通道数
（正向：反向）
4
（2:2）
默认输出逻辑
低
高
使能控制
输出使能
封装
SOIC16-W
绝对最大额定值
工作温度Topr（°C）
–40至125
存储温度Tstg（°C）
–65至150
隔离电压
BVS（Vrms）
t＝1分钟，Ta＝25 °C
最小值
5000
电气特性
共模瞬态抑制
CMTI（kV/μs）
VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，VCM＝1500 V
典型值
100
数据速率
tbps（Mbps）
VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V
最大值
50
脉宽失真
PWD（ns）
典型值
0.8
传输延迟时间
tPHL、tPLH（ns）
10.9
注：
[1] 测试条件：VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，VCM＝1500 V，Topr＝–40 °C至125 °C
[2] 测试条件：VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，Topr＝–40 °C至125 °C