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芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新推出采用S-VSON4T[1]封装的光继电器——“TLP3414S”与“TLP3431S”，具有比东芝现有产品更快的导通时间[2]。TLP3414S与TLP3431S的断态输出端电压和通态电流额定值分别为40 V/250 mA和20 V/450 mA。该产品于近日开始支持批量出货。
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新型光继电器通过提高输入侧红外LED的光输出并优化光电探测器（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，将导通时间最大值缩短至150 μs。TLP3414S的导通时间比东芝现有产品TLP3414缩短约50 %，TLP3431S的导通时间比东芝现有产品TLP3431缩短约62 %。
此外，当输出打开时，这两款产品的导通电阻会影响信号衰减（TLP3414S：最大值3 Ω，TLP3431S：最大值1.2 Ω）；当输出关闭时，输出电容会影响高频信号泄漏（两款产品均为典型值6.5 pF）。新产品与东芝现有产品[2]相当，确保了稳定的信号传输。
新产品适用于半导体测试设备中的引脚电子[3]应用，可在开关信号的同时以高精度高速测量待测设备（DUT）。
新产品由于采用小型S-VSON4T封装，与东芝现有产品的VSON4封装[4]相比表贴面积减少了约20 %，有助于实现半导体测试设备和其他设备的小型化。
东芝将继续提供更多高性能产品，以满足半导体测试设备对更高性能和更快速度的需求。
■ 应用：
- 半导体测试设备（高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等）
- 探测卡
- 测量设备
■ 性：
- 高速导通时间：tON＝150 μs（最大值）
- 低导通电阻：
TLP3414S RON＝3 Ω（最大值）
TLP3431S RON＝1.2 Ω（最大值）
- 小型S-VSON4T封装：1.45 mm×2.0 mm（典型值），厚度＝1.3 mm（典型值）
■ 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25 °C）
器件型号
TLP3414S
TLP3431S
封装
东芝封装名称
S-VSON4T
尺寸（mm）
1.45Í2.0（典型值），
厚度＝1.3（典型值）
触点类型
1-Form-A
（常开）
绝对最大额定值
断态输出端电压VOFF（V）
40
20
通态电流ION（mA）
250
450
通态电流（脉冲）IONP（mA）
750
1350
工作温度Topr（°C）
–40至110
隔离电压BVS（Vrms）
AC，60 s，
R.H.≤60 %
500
耦合电气特性
触发LED电流IFT（mA）
最大值
3
导通电阻RON（Ω）
典型值
2
0.8
最大值
3
1.2
电气特性
输出电容COFF（pF）
典型值
6.5
开关特性
导通时间tON（μs）
最大值
150[5]
关断时间tOFF（μs）
100[5]
注：
[1] S-VSON4T封装：1.45 mm×2.0 mm（典型值）
[2] 东芝现有产品TLP3414（额定值40 V/250 mA）和TLP3431（额定值20 V/450 mA），采用VSON4封装
[3] 引脚电子（PE）：用于向待测设备（DUT）提供电源和测试信号，并判断DUT的输出信号的一种接口电路
[4] VSON4封装：1.45 mm×2.45 mm（典型值）
[5] TLP3414S的测试条件：RL＝200 Ω、VDD＝20 V、IF＝5 mA，TLP3431S：RL＝200 Ω、VDD＝10 V、IF＝5 mA |
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发表于 2025-8-1 19:39
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